مقاومت مغناطیسی (رلوکتانس مغناطیسی):
مقاومت نشان دادهشده به عبور شار مغناطیسی در یک مدار مغناطیسی، مقاومت مغناطیسی (رلوکتانس) نامدارد.
که همانند مقاومت الکتریکی در مدار الکتریکیاست، با این تفاوت که مقاومت در مدار الکتریکی انرژی را هدر میدهد، اما مقاومت در مدار مغناطیسی انرژی را ذخیره میکند.
همچنین در مدار الکتریکی، جریان، مسیری با کمترین مقاومت را برای عبور انتخاب میکند، که این موضوع در مدار مغناطیسی نیز رخ میدهد و شار مغناطیسی، مسیری با کمترین مقاومت یا همان راکتانس را انتخاب میکند.
شکل زیر رلوکتانس مغناطیسی و فرمول آن را نشان میدهد.
که در آن:
- L طول هادی
- µ0 نفوذ پذیری مطلق هوا یا خلاء
- µr نفوذ پذیری نسبی محیط
- A سطح مقطع هسته
واحد این پارامتر آمپر دور و یا وبر AT / Wb (ampere-turns / Weber)است. مقدار آن به صورت مستقیم با طول هادی و به صورت معکوس با سطح مقطع آن در ارتباطاست. هدایت مغناطیسی نیز به صورت زیر قابل محاسبهاست:
رلوکتانس در میدان DC به وسیلهی نسبت نیرو محرکه مغناطیسی به شار جاریشده در آن مدار محاسبهمیشود. این کمیت به صورت زیر تعریفمیشود:
که در آن S دارای واحد آمپر دور بر وبراست.
F نیروی محرکه مغناطیسی و
φ شار مغناطیسی است.
یک مدار نامتعارف مغناطیسی از سطح عبور های مختلف تشکیل شدهاست.
به عنوان مثال، تنها بخشی از مدار هسته آهنیبوده و مابقی آن مواردی از جنس های مختلف و یا هوا است.محاسبه مقاومت در این حالت کمی پیچیدهتراست.در بیشتر ترانسفورماتورها، یک شکاف هوا برای کاهش اثرات اشباع ایجادمیشود.شکاف هوا این پارامتر مدار را افزایش میدهد. و از این رو انرژی مغناطیسی بیشتری را قبل از اشباع ذخیره میکند.